微波暗室的一般技術指標及誤差詳細說明
2021年08月25日 |
閱讀次數：1718微波暗室參數微波暗室的電性能指標主要由靜區的特征來表征。
靜區的特性又以靜區的大小、靜區內的較大反射電平、交叉極化度、場均勻性、路徑損耗、固有雷達截面、工作頻率范圍等指標來描述。影響微波暗室性能指標的因素是多元化的，也是很復雜的。在利用光線發射法和能量物理法對暗室性能進行仿真計算時，需要考慮電波的傳輸去耦，極化去耦，標準天線的方向圖因素，吸波材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影響。但在實際的工程設計過程中，往往以吸波材料的性能作為暗室性能的關鍵決定因素。
1）交叉極化度：由于微波暗室結構的不嚴格對稱、吸波材料對各種極化波吸收的不一致性以及暗室測試系統等因素使電波在暗室傳播過程中產生極化不純的現象。如果待測試天線與發射天線的極化面正交和平行時，所測試場強之比小于-25dB，就認為交叉極化度滿足要求。
2）多路徑損耗：路徑損耗不均勻會使電磁波的極化面旋轉，如果以來波方向旋轉待測試天線，接收信號的起伏不超過±0.25 dB，就可忽略多路徑損耗。
3）場均勻性：在微波暗室靜區，沿軸移動待測試天線，要求起伏不超±2dB；在靜區的截面上，橫向和上下移動待測天線，要求接收信號起伏不超過±0.25 dB。
